顶级超纯水系统的主要性能
从对深亚微米器件性能影响的敏感性和制水技术的难度考察，
TOC
（总有机炭）
/DO
（溶解氧）两参数集中体现了现今超纯水技术的水平。
TOC
引起薄栅氧化中缺陷密度增加，
DO
由于硅片表面自然氧化膜而使器件特性恶化。各项水质参数按难易依次排列和现今水平列于表
1
。
表
1
顶级超纯水系统的水质参数
|
项目
|
单位
|
数值（不大于）
|
在线检测极限
|
C
工程设计值
|
|
TOC
|
ppb
|
1
|
0.01
|
1
|
|
DO
|
ppb
|
1
|
0.01
|
2
|
|
SiO2
|
ppb
|
0.1
|
0.01
|
|
|
微粒
|
颗
/ml
|
1(≥0.05μm)
|
同上
|
1(≥0.05μm)
|
|
C/
|
ppb
|
0.1
|
|
|
|
重金属
|
ppb
|
0.01
|
0.01
|
|
|
Na+
|
ppb
|
0.001
|
0.001
|
|
|
电阻率
|
MΩ-cm(25
℃
)
|
≥18. 2
|
0.01
|
≥18.2
|
|
活菌
|
cfu/
|
1
|
0.1
|
1
|
在线的
DO
、
TOC
、
SiO2
和
Na
离子检测仪均是全自动自校准的；
ICP-MS
（电荷感应耦合
—
等离子质谱）对超纯水中三十种金属离子的检测极限可达
1.3(0.03ppt
内。我国按
0.25μm
要求的系统
C
的设计值附于表
|
